重要进展!西电郝跃院士团队张进成教授、宁静教授在Nature子刊上发表金刚石基氧化镓相关成果
近日,由西安电子科技大学研究团队开展技术攻关,在宽禁带半导体材料集成领域取得取得突破性进展,相关成果2025年8月31日以“Van der Waals β-Ga2O3thin films on polycrystalline diamond substrates
近日,由西安电子科技大学研究团队开展技术攻关,在宽禁带半导体材料集成领域取得取得突破性进展,相关成果2025年8月31日以“Van der Waals β-Ga2O3thin films on polycrystalline diamond substrates
半导体产业网获悉:近日,由西安电子科技大学研究团队开展技术攻关,在宽禁带半导体材料集成领域取得取得突破性进展,相关成果2025年8月31日以“Van der Waals β-Ga2O3 thin films on polycrystalline diamond