西电郝跃院士团队：取得百安千伏级高压氧化镓功率器件研究突破
近日，西安电子科技大学研究团队在超宽禁带半导体材料氧化镓功率器件领域取得突破性进展，相关成果于2025年8月14日以“120 A/1.78 kV p-Cr2O3/n-β-Ga2O3 Heterojunction PN Diodes with Slanted M
郝跃院士
西电郝跃院士团队张进成教授、周弘教授取得百安千伏级高压氧化镓功率器件研究突破
近日，西安电子科技大学研究团队在超宽禁带半导体材料氧化镓功率器件领域取得突破性进展，相关成果于2025年8月14日以“120 A/1.78 kV p-Cr2O3/n-β-Ga2O3 Heterojunction PN Diodes with Slanted M
西电郝跃院士团队张进成教授、宁静教授发表金刚石基氧化镓热管理相关成果
近日，西安电子科技大学集成电路学部郝跃院士团队张进成教授、宁静教授等在宽禁带半导体材料集成领域取得突破性进展，研究成果以“Van der Waals β-Ga2O₃thin films on polycrystalline diamond substrates
重要进展！西电郝跃院士团队张进成教授、宁静教授在Nature子刊上发表金刚石基氧化镓相关成果
近日，由西安电子科技大学研究团队开展技术攻关，在宽禁带半导体材料集成领域取得取得突破性进展，相关成果2025年8月31日以“Van der Waals β-Ga2O3thin films on polycrystalline diamond substrates
西电郝跃院士团队张进成教授、宁静教授在金刚石基氧化镓热管理领域 取得突破性进展
半导体产业网获悉：近日，由西安电子科技大学研究团队开展技术攻关，在宽禁带半导体材料集成领域取得取得突破性进展，相关成果2025年8月31日以“Van der Waals β-Ga2O3 thin films on polycrystalline diamond